東芝研發(fā)全球首款48層BiCS的3D堆棧式結(jié)構(gòu)閃存

東芝宣布其研發(fā)了被稱作BiCS的全球首款48層*1 3D堆棧式結(jié)構(gòu)閃存*2，該閃存為每單元容量2位128-gigabit (16G)設(shè)備。采用新工藝技術(shù)制造的產(chǎn)品樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)。

該BiCS基于最尖端的48層層迭工藝，該工藝提高寫(xiě)入/擦除次數(shù)可靠性并提高寫(xiě)入速度，其應(yīng)用范圍廣泛，尤其適用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。

自全球首推3D閃存*3技術(shù)以來(lái)，東芝一直繼續(xù)致力于優(yōu)化大批量生產(chǎn)的研發(fā)。為滿足2016年及以后市場(chǎng)的長(zhǎng)足發(fā)展需求，東芝將推出主要瞄準(zhǔn)大容量應(yīng)用領(lǐng)域(如SSD)的產(chǎn)品組合，以此積極促進(jìn)向3D閃存的過(guò)渡。

該公司還在其NAND閃存生產(chǎn)基地——四日市業(yè)務(wù)部(Yokkaichi Operations)為新晶圓廠(Fab2)的大批量生產(chǎn)做準(zhǔn)備。Fab2目前在建，將于2016年上半年完工，以便滿足日益增長(zhǎng)的閃存需求。